世界の次世代メモリ市場（～2028）：不揮発性メモリ（MRAM、FRAM、RERAM/CBRAM、3D XPoint、NRAM）

次世代メモリ市場の2023年の市場規模は62億米ドルで、予測期間中の年平均成長率は23.2%を記録し、2028年には177億米ドルに達すると予測されています。

次世代メモリ市場の成長は、高速アクセスと最小消費電力を実現するメモリデバイスに対する需要の増加、エンタープライズストレージアプリケーションへの次世代メモリ技術の採用の増加、スマートフォンやスマートウェアラブルへの次世代メモリの採用の急増によってもたらされます。

市場動向

推進要因：高速アクセスと低消費電力を実現するメモリ・デバイスに対する需要の増加
企業におけるデータ量の増加とクラウド・ストレージ・ソリューションの普及に伴い、大容量で高速なストレージ・メモリへの需要が高まっています。先端製品の性能は絶えず向上しており、半導体業界の多くを牽引しています。高速、低消費電力、高拡張性を備えたメモリ・デバイスへの要求に応えるため、RRAM、MRAM、FeRAM、NRAMなど、さまざまな新興不揮発性メモリが開発されています。従来の技術と比較して、これらの技術は高い拡張性、密度、速度、および耐久性を提供します。新興のメモリ技術の多くは、コマンド要求後、出力が指定された要件を満たすまでに1～10ナノ秒かかります。スイッチング時間とは、コマンドが要求された後、メモリが指定された要件を満たすまでにかかる時間のことです。スイッチング時間が短いほど、メモリのリード/ライト・データ動作は高速になります。

制約：次世代メモリの高い製造コスト
高密度DRAMやSRAMの製造コストは比較的高く、高ビット密度の次世代メモリの製造コストも高いのが現状です。次世代メモリ技術は、従来のメモリ技術に比べて製造工程が複雑であることが多いためです。これらのプロセスには、特殊な装置や材料、専門知識が必要となる場合があり、コスト高につながります。開発および生産の初期段階では、次世代メモリ技術は、欠陥、プロセスのばらつき、材料の課題などの問題により、生産歩留まりが低下する可能性があります。歩留まりが低いと、機能チップあたりのコストが高くなります。次世代メモリ技術の中には、全体的な製造コストの一因となる高度で高価な材料に依存するものもあります。また、次世代メモリ技術の製造プロセスがより複雑になると、製造サイクルが長くなり、スループットが低下して製造コストが上昇する可能性があります。

機会：組み込みシステムやIoT機器における次世代メモリ技術の採用拡大
従来のメモリから次世代メモリへの置き換えが進むことは、市場プレーヤーにとって大きなチャンスです。MRAMやReRAMのような次世代メモリは、高速の読み書きを実現し、低消費電力で不揮発性であるため、組み込みシステムやIoTデバイスでの使用に適しています。これらのメモリは、インスタントオン機能を実現し、エネルギー効率を改善し、スマートデバイスのデータ保持を強化することができます。これらのメモリは高い耐久性を持ち、劣化することなく多数の読み出しおよび書き込みサイクルに耐えることができます。この機能は、データが頻繁に更新されるアプリケーションでは不可欠であり、IoTや組み込み機器の長期信頼性と寿命を保証します。MRAMやReRAMのような次世代メモリの低レイテンシと高速アクセスは、プロセッサへの頻繁なデータ転送を必要とせずにメモリ内でデータを直接処理できるインメモリ・コンピューティングを可能にします。これにより、特定のIoTおよび組み込みアプリケーションの効率を高めることができます。MRAMとReRAMのメモリセルはコンパクトなサイズであるため、小さなフットプリントで高密度のメモリストレージが可能であり、スペースに制約のある組み込みシステムに適しています。MRAMおよびReRAMの高速書き込み速度は、リアルタイムのデータ処理と保存が重要な、データロギングおよびエッジ分析アプリケーションに最適です。AIおよびIoT統合ソリューションは、このような技術の主要なユーザーです。高速書き込みをサポートし、完全にシャットダウンしても素早く再起動できる不揮発性メモリ。MRAMは、より優れた容量、密度、低電力要件、高速書き込み性能、および極めて低い読み取りレイテンシを備えているため、IoTおよびAIのユースケースに適しています。

課題：製造プロセスが標準化されていないことによる設計コストの上昇
次世代メモリ市場には、3D XPoint、MRAM、FRAM、ReRAMなどの高度な不揮発性メモリ技術が含まれます。これらのメモリの大半は開発段階または初期の商業化段階にあり、今後数年で大量生産される見込みです。したがって、これらの不揮発性メモリが標準的な製造プロセスで製造されない限り、設計コストは既存のメモリに比べてはるかに高くなります。一方、DRAM、SRAM、フラッシュなどの競合メモリのコストは年々低下しています。そのため、市場の成長にはある程度の課題があります。したがって、これを克服するには、生産を合理化してコストを削減するために、標準化されたプロセスと高度なシステム設計が必要です。

予測期間中、不揮発性メモリ・セグメントが市場シェアを拡大
不揮発性メモリ分野は、2022年に市場で大きなシェアを占め、予測期間中も支配的な地位を維持すると予想されます。これは、より高速で、より効果的で、コスト効率の高いメモリ・ソリューションに対する需要が高まっているためです。また、新しいメモリ技術は、従来の不揮発性メモリデバイスの拡張性、耐久性、その他のパラメータに関する制限を克服しています。膨大な量のデータが日々グローバルに生成されるため、大容量のストレージを備えたより効果的なストレージ・ソリューションが必要とされています。ReRAMやSTT-MRAM PCMのような不揮発性メモリは、DRAMやSRAMのような揮発性メモリ技術に匹敵する速度と性能を、より高い記憶密度とともに提供します。さらに、ウェアラブルエレクトロニクス、高性能コンピューティング、フラッシュメモリストレージの置き換えに対する需要の増加も、新興の不揮発性メモリ技術に対する需要を促進しています。

予測期間中、次世代メモリ市場で最大シェアを占めるエンタープライズ・ストレージ・セグメント
2022年、エンタープライズ・ストレージ・セグメントが市場で最大のシェアを獲得。データセンターにおけるデータストレージのニーズの高まりが、NGM技術の需要を生み出しています。近年、クラウド・ストレージは、プライベート・データだけでなくパブリック・データを含むクラウド・プラットフォームの利用の増加に伴って成長しています。このような膨大な量のデータを保存するために、新興のメモリ技術が主に使用されています。データセンターは、絶え間ないデータの増加とユーザーの生産性に対応するため、新興メモリ技術の導入を検討しています。新興メモリ技術は、パフォーマンスの向上と総所有コスト（TCO）の削減に役立ちます。

予測期間中、次世代メモリ市場で最も高い成長を示す300mmウェハサイズ・セグメント
300mmウェーハサイズ・セグメントが同市場で最も高い成長を占める見込みです。現在、300mmウェーハサイズの市場シェアは200mmウェーハサイズを上回っています。これは、300mmウェーハは200mmウェーハに比べてウェーハ1枚当たり2倍のダイを搭載できるため、1cm当たりのICコストが年間2～4％低くなるためです。Micron Technology, Inc.、SAMSUNG、SK Hynix, Inc.などの主要プレーヤーは、現在、ほとんどのメモリー技術を300mmウェハーで設計しています。

アジア太平洋地域の次世代メモリ市場が予測期間中に最速の成長率を示すと予測
アジア太平洋地域の次世代メモリ市場は、予測期間中に高いCAGRで成長する見込みです。市場の成長を後押しするのは、急増する消費者需要、ダイナミックな技術環境、強固な製造エコシステムです。中国、日本、韓国、インドなど、急速に半導体能力を向上させている主要経済圏が存在するこの地域は、その豊富な専門知識とリソースを活用して、次世代メモリソリューションの開発と採用をリードする態勢を整えています。

主要企業

次世代メモリ企業の主要ベンダーには、SAMSUNG（韓国）、KIOXIA Holdings Corporation（日本）、Micron Technology, Inc.（米国）、富士通（日本）、SK Hynix Inc.（韓国）、Honeywell International, Inc.（米国）、Winbond（台湾）、Microchip Technology Inc.（米国）、Nanya Technology（台湾）、Everspin Technologies（米国）などがあります。この他、Macronix International Co. (マクロニクス）、Kingston Technology（米国）、Infineon Technologies AG（ドイツ）、ローム株式会社（日本）、Nantero, Inc. (日本）、Nantero, Inc.（米国）、Crossbar Inc.（米国）、Viking Technology（米国）、Avalanche Technology（米国）などが次世代メモリ市場の新興企業です。

この調査レポートは、次世代メモリ市場を技術、ウェハサイズ、用途、地域に基づいて分類しています。

セグメント

サブセグメント

技術別

不揮発性メモリ
磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（MRAM）
スピン転移トルク磁気ランダムアクセスメモリ（STT-MRAM）
スピン軌道トルク磁気ランダムアクセスメモリー（SOT-MRAM）
トグルモードMRAM
強誘電体RAM（FRAM）
抵抗ランダムアクセスメモリ（RERAM）/導電性ブリッジングRAM（CBRAM）
3D Xポイント
ナノRAM（NRAM）
その他（ナノブリッジ、量子ドット、ミリピード、分子メモリー、透明/フレキシブルメモリー）
揮発性メモリ
ハイブリッド・メモリー・キューブ（HMC）
広帯域メモリー（HBM）
ウェハーサイズ別

200 mm
300 mm
アプリケーション別

コンシューマー・エレクトロニクス
エンタープライズ・ストレージ
自動車・輸送機器
軍事・航空宇宙
産業
電気通信
エネルギー・電力
ヘルスケア
農業
小売
地域別

北米
米国
カナダ
メキシコ
欧州
ドイツ
英国
フランス
その他のヨーロッパ
アジア太平洋
中国
日本
韓国
インド
その他のアジア太平洋地域
その他の地域
南米
中東・アフリカ

2023年4月、SKハイニックス社（韓国）は、現在業界最大容量である24ギガバイト（GB）2の12層HBM31製品を業界で初めて開発。同社は、2022年6月に世界初のHBM3を量産したのに続き、メモリ容量を従来製品から50％増加させた24GBパッケージ製品の開発に成功。
2022年5月、Everspin Technologies Inc.（米国）が8Mビットから64MビットまでのSTT-MRAM EMxxLX xSPIファミリーの発売を発表。
2022年3月、富士通セミコンダクタメモリーソリューション株式会社（日本）は、富士通のReRAM製品ファミリーの中で最大密度となる12MbitのReRAM（抵抗ランダムアクセスメモリー）、MB85AS12MTの発売を発表しました。MB85AS12MTは、12Mbitのメモリ密度を持ち、1.6Vから3.6Vまでの幅広い電源電圧で動作する不揮発性メモリです。

【目次】

1 はじめに（ページ – 35）
1.1 調査目的
1.2 市場の定義
1.3 調査範囲
1.3.1 対象市場
図1 次世代メモリ市場：セグメンテーション
1.4 対象範囲と対象外
1.4.1 地理的範囲
1.5 考慮した年数
1.6 通貨
1.7 制限事項
1.8 利害関係者
1.9 変化のまとめ
1.1 景気後退分析
図2 主要国の2023年までのGDP成長率予測

2 調査方法 (ページ – 41)
2.1 調査データ
図 3 次世代メモリ市場：調査デザイン
2.1.1 二次データ
2.1.1.1 主な二次情報源
2.1.1.2 二次ソースからの主要データ
2.1.2 一次データ
2.1.2.1 専門家への一次インタビュー
2.1.2.2 一次データの内訳
2.1.2.3 一次資料からの主要データ
2.1.3 二次調査および一次調査
2.1.3.1 主要業界インサイト
2.2 市場規模の推定
図4 調査フロー
2.2.1 ボトムアップアプローチ
2.2.1.1 ボトムアップ分析（需要側）による市場規模導出のアプローチ
図5 市場規模推計手法：ボトムアップアプローチ
2.2.2 トップダウンアプローチ
2.2.2.1 トップダウン分析による市場規模導出のアプローチ（供給側）
図6 市場規模推計手法：トップダウンアプローチ
2.2.2.2 サプライサイド分析
図7 市場規模推計手法：サプライサイドアプローチ
2.3 市場の内訳とデータの三角測量
図8 データ三角測量
2.4 調査の前提
表1 調査の前提条件
2.5 不況が市場に与える影響を理解するために考慮したパラメータ
2.6 リスク評価
表2 リスク評価次世代メモリー市場
2.7 調査の限界

3 要約（ページ – 55）
3.1 成長率の前提
図 9：予測期間中、揮発性メモリ分野が高い成長率を記録
図 10 2028 年までにエンタープライズストレージ分野が最大市場規模を占める
図11 2023年から2028年にかけて次世代メモリ市場を支配するのは300mmセグメント
図12 2022年にはアジア太平洋地域が最大シェアを獲得

4 PREMIUM INSIGHTS (ページ – 59)
4.1 市場におけるプレーヤーにとっての魅力的な機会
図 13 次世代メモリ・デバイスのエンタープライズ・ストレージとコンシューマー・エレクトロニクス・アプリケーションへの高い採用が市場を牽引
4.2 技術別市場
図14：予測期間中、不揮発性メモリ・セグメントが市場を支配
4.3 市場：ウェーハサイズ・用途別
図15 2023年には300mmウェーハサイズとエンタープライズ・ストレージ・アプリケーションが最大市場シェアを占める
4.4 地域別市場
図16 2023年にはアジア太平洋地域が最大シェアを占める見込み
4.5 次世代メモリ市場：国別
図17 2023年から2028年にかけて最も高い成長率を記録する中国市場

5 市場概観（ページ番号 – 62）
5.1 はじめに
5.2 市場ダイナミクス
図 18 次世代メモリ市場：促進要因、阻害要因、機会、課題
5.2.1 推進要因
5.2.1.1 高速アクセスと低消費電力を実現するメモリ・デバイスへの需要の高まり
5.2.1.2 エンタープライズ・ストレージ・アプリケーションへの次世代メモリ技術の採用急増
5.2.1.3 スマートフォンやスマート・ウェアラブルにおける次世代メモリの統合の増加
5.2.1.4 進化するデータと計算ニーズに対応するため、自動車分野で次世代メモリソリューションの採用が増加
図19 世界の自動車生産台数、2017年～2022年（百万台）
図20 ドライバが世界市場に与える影響の分析
5.2.2 阻害要因
5.2.2.1 次世代メモリの高い製造コスト
5.2.2.2 次世代メモリに関連する互換性と相互運用性の問題
図21 世界市場に対する阻害要因の影響分析
5.2.3 機会
5.2.3.1 組み込みシステムやIoT機器における次世代メモリ技術の採用の増加
5.2.3.2 データセンターにおけるメモリ集約型アプリケーション向け高帯域幅メモリ（HBM）の採用増加
図22 機会が世界市場に与える影響の分析
5.2.4 課題
5.2.4.1 高密度不揮発性メモリに伴うスケーラビリティの問題
5.2.4.2 製造プロセスが標準化されていないことによる設計コストの上昇
5.2.4.3 高速書き込み性能とエネルギー効率の実現
図23 課題が世界市場に与える影響の分析
5.3 バリューチェーン分析
5.3.1 次世代メモリのバリューチェーン分析
図24 市場：バリューチェーン分析
5.3.2 磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（MRAM）のバリューチェーン分析
図 25 バリューチェーン分析：磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（MRAM）市場
5.4 エコシステムのマッピング
図26 次世代メモリ市場：エコシステム
表3 次世代メモリ市場：エコシステムにおける主要プレイヤーの役割
5.5 価格分析
表4 不揮発性メモリデバイスの価格（企業別
表5 揮発性メモリデバイスの価格（企業別
5.5.1 主要企業が提供する次世代メモリ・ソリューションの平均販売価格（不揮発性メモリ技術別
図27 主要企業が提供する次世代メモリ・ソリューションの平均販売価格（不揮発性メモリ技術別
5.5.2 主要企業が提供する次世代メモリ・ソリューションの平均販売価格（揮発性メモリ技術別
図28 主要企業が提供する次世代メモリ・ソリューションの平均販売価格（揮発性メモリ技術別
表6 主要企業が提供する次世代メモリ・ソリューションの平均販売価格（技術別
5.6 顧客ビジネスに影響を与えるトレンドと混乱
図29 次世代メモリ市場におけるベンダーの収益シフトと新たな収益ポケット
5.7 技術分析
5.7.1 主要技術
5.7.1.1 導電性ブリッジRAM（CBRAM）
5.7.1.2 酸化物ベースReRAM（OxRAM）
5.7.1.3 原子スイッチReRAM
5.7.1.4 HfO2ベースReRAM
5.7.2 隣接技術
5.7.2.1 垂直磁気異方性(PMA)
5.7.2.2 MLおよびAIベースのメモリ管理
5.7.2.3 3次元積層とパッケージング技術
5.8 ポーターの5つの力分析
表7 市場：ポーターの5つの力分析
図30 次世代メモリ市場：ポーターの5つの力分析
5.8.1 競合ライバルの激しさ
5.8.2 サプライヤーの交渉力
5.8.3 買い手の交渉力
5.8.4 代替品の脅威
5.8.5 新規参入の脅威
5.9 主要ステークホルダーと購買基準
図31 購入プロセスにおける主要な利害関係者
表8 購入プロセスにおける関係者の影響（用途別
5.9.1 購入基準
図32 主要な購買基準（用途別
表9 主要な購買基準（用途別
5.10 ケーススタディ分析
5.10.1 everspin technologiesは、BMWがMRAMメモリでモータースポーツのスーパーバイクを最適化するのを支援
5.10.2 ibm 社が新しいフラッシュシステムストレージの書き込みキャッシュを mram に切り替え、かさばるスーパーキャップを排除
5.10.3 everspinとquicklogicが提携し、国防総省（Dod）システムをサポートする高信頼性FPGAにMRAMを提供
5.11 貿易分析
5.11.1 輸入シナリオ
5.11.1.1 メモリなどの電子集積回路の輸入シナリオ
表10 HSコード854232の国別輸入データ（2018～2022年）（百万米ドル
5.11.2 輸出シナリオ
5.11.2.1 メモリなど電子集積回路の輸出シナリオ
表11 HSコード854232の国別輸出データ（2018～2022年）（百万米ドル
5.12 関税分析
表12 米国が輸出するプロセッサおよびコントローラとしての電子集積回路の関税（2023年
表13 中国が輸出したプロセッサおよびコントローラとしての電子集積回路の関税（2023年
表14 ドイツが輸出するプロセッサおよびコントローラとしての電子集積回路の関税（2023年
5.13 特許分析
表15 2013年から2022年までに登録された特許数
図 33 2013～2022 年における特許出願件数の多い上位 10 社
図34 2013年から2023年に公開された特許数
表16 次世代メモリ市場に関連する特許
5.14 主要会議とイベント（2023～2024年
表17 次世代メモリ市場：会議・イベントの詳細リスト
5.15 規格と規制の状況
5.15.1 規制機関、政府機関、その他の団体
表18 北米：規制機関、政府機関、その他の組織のリスト
表 19 ヨーロッパ：規制機関、政府機関、その他の組織の一覧
表20 アジア太平洋地域：規制機関、政府機関、その他の組織のリスト
表21 その他の地域：規制機関、政府機関、その他の組織のリスト
5.15.2 規制
5.15.2.1 米国の規制
5.15.2.1.1 カリフォルニア州消費者プライバシー法
5.15.2.1.2 アンチティッキバースクワッティング消費者保護法
5.15.2.2 EU規制
5.15.2.2.1 一般データ保護規則
5.15.3 規格
5.15.3.1 CEN
5.15.3.2 ISO/IEC JTC 1
5.15.3.2.1 ISO/IEC JTC 1/SC 3 1
5.15.3.2.2 ISO/IEC JTC 1/SC 27
5.15.3.3 欧州電気通信標準化機構（ETSI）
5.15.3.4 米国電気電子技術者標準化協会（IEEE）

6 次世代メモリ市場, 技術別 (ページ – 99)
6.1 はじめに
図 35 2028 年までに次世代メモリ市場でより大きなシェアを占める不揮発性メモリセグメント
表22 技術別市場、2019～2022年（百万米ドル）
表23：技術別市場、2023-2028年（百万米ドル）
6.2 不揮発性メモリ
図 36 2023 年から 2028 年にかけて最も高い成長率を記録するのは MRAM 分野
表24 不揮発性メモリ：タイプ別市場、2019～2022年（百万米ドル）
表25 不揮発性メモリ：タイプ別市場、2023～2028年（百万米ドル）
6.2.1 磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（MRAM）
6.2.1.1 スピントランスファートルク磁気ランダムアクセスメモリ（STT-MRAM）
6.2.1.1.1 STT-MRAM技術の優れたエネルギー効率と高耐久性が市場成長を促進
6.2.1.2 スピン軌道トルク磁気ランダムアクセスメモリ（SOT-MRAM）
6.2.1.2.1 SOT-MRAMの高速スイッチングと高い拡張性が市場を牽引
6.2.1.3 トグルモードMRAM
6.2.1.3.1 トグルモードMRAMの高速読み出しと書き込みが市場成長を促進
図37 トグルMRAMセル構造
表26 MRAM：市場：アプリケーション別、2019-2022年（百万米ドル）
表27 MRAM： MRAM：アプリケーション別市場、2023-2028年（百万米ドル）
6.2.2 強誘電体ラム（フレーム）
6.2.2.1 セグメントを牽引するフラッシュメモリよりもFRAMへの嗜好の高まり
図 38 基本的な強誘電体メモリセル
表 28 FRAM：市場、用途別、2019-2022年（百万米ドル）
表 29 FRAM：市場：アプリケーション別、2023-2028年（百万米ドル）
6.2.3 抵抗ランダムアクセスメモリ（RRAM）/導電性ブリッジングラム（CBRAM）
6.2.3.1 卓越した速度と低エネルギー消費を維持しながら高密度データストレージを実現するReRAM/CBRAMの能力が市場を牽引
図39 ReRAMの基本構造
表 30 ReRAM/CBRAM：市場, 用途別, 2019-2022 (百万米ドル)
表 31 reram/cbram：市場、用途別、2023-2028年（百万米ドル）
6.2.4 3Dエクスポイント
6.2.4.1 高速アクセス速度と高耐久性の画期的な組み合わせが3D XPointの需要を後押し
表32 3次元Xポイント：市場、用途別、2019-2022年（百万米ドル）
表33 3次元Xポイント：アプリケーション別市場、2023-2028年（百万米ドル）
6.2.5 ナノラム（NRAM）
6.2.5.1 高温下でのNRAMの優れたデータ保持能力が市場を牽引
表 34 ナノラム：市場, 用途別, 2019-2022 (百万米ドル)
表 35 ナノラム：次世代メモリ市場、用途別、2023-2028年（百万米ドル）
6.2.6 その他
表 36 その他：市場：アプリケーション別、2019-2022年（百万米ドル）
表37 その他：用途別市場、2023-2028年（百万米ドル）
6.3 揮発性メモリ
図40 2023年から2028年にかけて揮発性次世代メモリ市場でより高いCAGRを示すHBMセグメント
表 38 揮発性メモリ：タイプ別市場、2019～2022 年（百万米ドル）
表39 揮発性メモリ：タイプ別市場、2023～2028年（百万米ドル）
6.3.1 ハイブリッド・メモリ・キューブ（HMC）
6.3.1.1 ハイパフォーマンス・コンピューティング・アプリケーションへのHMC採用が市場を牽引
表40 HMC：市場、用途別、2019-2022年（百万米ドル）
表41 HMC：アプリケーション別市場、2023-2028年（百万米ドル）
6.3.2 高帯域幅メモリ（HBM）
6.3.2.1 ネットワーク機器や高性能グラフィックス・アクセラレータにおけるHBM採用の増加が市場を牽引
表42 HBM：市場、用途別、2019～2022年（百万米ドル）
表43 HBM：次世代メモリ市場、用途別、2023-2028年（百万米ドル）

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レポートコード：SE 3111